Homray Material Technology

Fornecedor de lingotes SiC oferece subsestratos SiC de 4 polegadas de 6 polegadas
O HMT oferece lingotes SiC e subestados sic de politipo 4H em diferentes graus de qualidade para fabricantes mecânicos, pesquisadores e industriais, lingotes SiC e sic semi-isolantes e wafers SiC disponíveis.
SiC wide energy Gap (Band Gap) do que a largura gap si (silício) existente mais de 3 vezes maior, pode suportar mais de 10 vezes a tensão, baixa perda do SiC, características de alta potência adequadas para campo de alta tensão e alta corrente de aplicação, incluindo veículos elétricos, infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, energia solar e energia eólica offshore e outros equipamentos de geração de energia verde.ompared com Si tradicional, o material semicondutor de terceira geração SiC pode reduzir a perda de conversão de energia em 50%, reduzir o custo de conversão de energia em 20%, e melhorar a resistência dos veículos elétricos em 4%.